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    標題 臺積電 3nm N3 徹底露餡了！對比 5nm N5 幾乎毫無差別
    分類 熱點事件
    內容 *** 次數：60000 已用完，請聯系開發者***

    雖然誰都不愿意承認摩爾定律已死，但是制程工藝的提升越來越難了，臺積電就在 3nm 上遇到了極大的麻煩。

    臺積電曾經宣稱，3nm N3 工藝相比于 5nm N5 可將集成密度增加 60-70％之多。

    但是，臺積電的最新一份論文中承認，N3 工藝的 SRAM 單元的面積為 0.0199 平方微米，相比于 N5 工藝的 0.021 平方微米只縮小了區區 5％！

    更糟糕的是，所謂的第二代 3nm 工藝 N3E，SRAM 單元面積為 0.021 平方微米，也就是和 N5 工藝毫無差別！

    這種情況下的晶體管密度，只有每平方毫米約 3180 萬個。

    與此同時，Intel 7 工藝 ( 原 10nm ESF ) 的 SRAM 單元面積為 0.0312 平方微米，Intel 4 工藝 ( 原 7nm ) 則縮小到 0.024 平方微米，改進幅度為 23％，已經和臺積電 3nm 工藝相差無幾。

    照這么看，Intel 的工藝改名也是有幾分道理的。

    另外，有數據表明，到了 2nm 及之后的工藝，晶體管密度將達到每平方毫米 6000 萬個左右，但需要所謂的 " 叉片 " ( forksheet ) 晶體管，而且還要等好幾年。

    SRAM 在現代芯片中一般用作緩存，比如銳龍 9 7950X 里的 81MB 緩存，比如 NVIDIA AD102 核心里的 123MB 緩存，它們往往需要先進的工藝支持，否則面積和成本會非?？鋸?。

    事實上，考驗新工藝的第一步，普遍就是看 SRAM 的尺寸和密度有沒有明顯改進。

    看起來，芯片廠商們越來越多使用 chiplet 小芯片和各種復雜封裝技術的路子是對的，單純依靠制程工藝越來越行不通。

    639c84c6b15ec00e640f46ff_10242737.jpg      臺積電 3nm N3 徹底露餡了！對比 5nm N5 幾乎毫無差別 鎮定自若月三言兩語出東山7. 人生的路途漫長又曲折，在前行的路上我們也許會迷失了方向，也許會沉迷于路景，很多的迷霧和錯誤的路標會誤導我們，讓我們無法前行甚至使我們朝相反的方向前進，此時，我們只有找到自己的位置，才能一步步地接近目標，接近成功。be ready to do sth 準備做某事281.淚眼問花花不語，亂紅飛過秋千去?！兜麘倩ā?nbsp;   水遠，怎知流水外，卻是亂山尤遠。天涯夢短，想忘了綺疏雕檻。望不盡冉冉斜陽，撫喬木年華將晚。但數點紅英，猶識西園凄婉。058岑參：輪臺歌奉送封大夫出師西征臺積電,intel,芯片,銳龍,摩爾定律33、One swallow does not make a summer.
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    更新時間：2025/7/13 7:19:22
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