• 網站首頁  電腦游戲  手機游戲  翻譯軟件  動漫下載  電影下載  電視劇下載  游戲攻略

    請輸入您要查詢的游戲攻略：

    　

    標題 為萬億晶體管芯片鋪路 英特爾展示有 3 個原子厚的 2D 新材料！
    分類 熱點事件
    內容 *** 次數：60000 已用完，請聯系開發者***

    12 月 5 日消息，在 IEDM 2022（2022 IEEE 國際電子器件會議）上，英特爾發布了多項突破性研究成果，繼續探索技術創新，以在未來十年內持續推進摩爾定律，最終實現在單個封裝中集成一萬億個晶體管。

    英特爾的研究人員展示了以下研究成果：3D 封裝技術的新進展，可將密度再提升 10 倍；超越 RibbonFET，用于 2D 晶體管微縮的新材料，包括僅三個原子厚的超薄材料；能效和存儲的新可能，以實現更高性能的計算；量子計算的新進展。

    638f61f8b15ec06021231062_10242703.jpg英特爾技術開發事業部副總裁兼組件研究與設計總經理 Gary Patton 表示：" 自人類發明晶體管 75 年來，推動摩爾定律的創新在不斷滿足世界指數級增長的計算需求。

    在 IEDM 2022，英特爾展示了其前瞻性思維和具體的研究進展，有助于突破當前和未來的瓶頸，滿足無限的計算需求，并使摩爾定律在未來繼續保持活力。"

    此外，為紀念晶體管誕生 75 周年，英特爾執行副總裁兼技術開發總經理 Ann Kelleher 博士將于 IEDM 2022 主持一場全體會議。

    屆時，Kelleher 將概述半導體行業持續創新的路徑，即圍繞系統級戰略聯合整個生態系統，以滿足世界日益增長的計算需求并以更有效的方式實現創新，從而以摩爾定律的步伐不斷前進。

    此次會議將于太平洋標準時間 12 月 5 日周一上午 9 點 45 分（北京時間 12 月 6 日周二凌晨 1 點 45 分）開始，主題為 " 慶祝晶體管誕生 75 周年！摩爾定律創新的演進 "。

    對滿足世界的無限計算需求而言，摩爾定律至關重要，因為數據量的激增和人工智能技術的發展讓計算需求在以前所未有的速度增長。

    持續創新正是摩爾定律的基石。在過去二十年，許多里程碑式的創新，如應變硅（strained silicon）、Hi-K 金屬柵極（Hi-K metal gate）和 FinFET 晶體管，都出自英特爾組件研究團隊（Intel ’ s Components Research Group）。

    這些創新在個人電腦、圖形處理器和數據中心領域帶來了功耗和成本的持續降低和性能的不斷增長。

    英特爾組件研究團隊目前的路線圖上包含多項進一步的研究，包括 RibbonFET 全環繞柵極（GAA）晶體管、PowerVia 背面供電技術和 EMIB、Foveros Direct 等突破性的封裝技術。

    638f61f8b15ec06021231063_10242704.jpg在 IEDM 2022，英特爾的組件研究團隊展示了其在三個關鍵領域的創新進展，以實現摩爾定律的延續：新的 3D 混合鍵合（hybrid bonding）封裝技術，無縫集成芯粒；超薄 2D 材料，可在單個芯片上集成更多晶體管；能效和存儲的新可能，以實現更高性能的計算。

    英特爾組件研究團隊所研發的新材料和工藝模糊了封裝和芯片制造之間的界限。

    英特爾展示了將摩爾定律推進到在單個封裝中集成一萬億個晶體管的關鍵步驟，包括可將互聯密度再提升 10 倍的先進封裝技術，實現了準單片（quasi-monolithic）芯片。

    英特爾還通過材料創新找到了可行的設計選擇，使用厚度僅三個原子的新型材料，從而超越 RibbonFET，推動晶體管尺寸的進一步縮小。

    英特爾通過下一代 3D 封裝技術實現準單片芯片：

    與 IEDM 2021 上公布的成果相比，英特爾在 IEDM 2022 上展示的最新混合鍵合研究將功率密度和性能又提升了 10 倍。

    638f61f8b15ec06021231064_10242704.jpg通過混合鍵合技術將互連間距繼續微縮到 3 微米（去年還是 10 微米，現在縮小了超過 3 倍），英特爾實現了與單片式系統級芯片（system-on-chip）連接相似的互連密度和帶寬（相比去年論文提到的互聯密度提升了 10 倍）。此外，混合鍵合技術還支持多個小芯片直堆疊。

    英特爾探索通過超薄 "2D" 材料，在單個芯片上集成更多晶體管：

    英特爾展示了一種全環繞柵極堆疊式納米片結構，使用了厚度僅 3 個原子的 2D 通道材料，同時在室溫下實現了近似理想的低漏電流雙柵極結構晶體管開關。這是堆疊 GAA 晶體管和超越硅材料的固有限制所需的兩項關鍵性突破。

    638f61f8b15ec06021231065_10242704.jpg目前的芯片材料，如硅，是由三維晶體組成，這意味著原子在所有三個維度上都鍵合在一起，因此對微縮提出了基本的限制。相比之下，2D 材料很有吸引力，因為所有原子都粘在一個平面上。

    目前的 GAA 設計由堆疊的水平硅納米片組成，每個納米片完全被一個門包圍。

    這種 " 環繞柵極 "（GAA）技術可減少電壓泄漏，從而防止關閉晶體管。隨著晶體管的縮小，這正變得越來越成為一個問題——即柵極在三面環繞溝道時，正如我們在鰭式場效應晶體管中看到的那樣。

    英特爾將其 GAA 設計命名為 RibbonFET，計劃于 2024 年上半年量產。然而，超越 RibbonFET 將需要進一步的創新，而這項 2D 材料研究符合潛在創新要求。

    英特爾的論文描述了一種新的環繞柵極（GAA）堆疊納米片結構，其通道材料（納米片 / 納米帶）采用的是厚度僅為 3 個原子的 2D 材料，可以在室溫下以低泄漏電流工作。

    638f61f8b15ec06021231066_10242704.jpg2D 通道材料的薄型使得建立與納米帶的電氣連接成為一項艱巨的任務，因此英特爾的研究人員還展示了對 2D 材料的電接觸拓撲結構（electrical contact topologies）的首次全面分析，為打造高性能、可擴展的晶體管通道進一步鋪平道路。

    為了實現更高性能的計算，英特爾帶來了能效和存儲的新可能：

    通過開發可垂直放置在晶體管上方的存儲器，英特爾重新定義了微縮技術，從而更有效地利用芯片面積。

    英特爾在業內率先展示了性能可媲美傳統鐵電溝槽電容器（ferroelectric trench capacitors）的 3D 堆疊型鐵電電容器（stacked ferroelectric capacitors），可用于在邏輯芯片上構建鐵電存儲器（FeRAM）。

    638f61f8b15ec06021231067_10242704.jpg這項技術最令人印象深刻的方面是，鐵電溝槽電容器可以垂直堆疊在晶體管頂部的邏輯芯片上。

    這使得存儲器能夠分層在邏輯元件之上，而不是像我們在其他類型的嵌入式存儲器中看到的那樣，如用于 L1 和 L2 緩存的 SRAM，位于其自己的獨特區域。

    這種業界首創的器件級模型，可定位鐵電氧化器件（ferroelectric hafnia devices）的混合相位和缺陷，標志著英特爾在支持行業工具以開發新型存儲器和鐵電晶體管方面取得了重大進展。

    鐵電存儲器還具有與 NAND 閃存類似的功能，即在通常僅存儲 1bit 的結構中存儲多 bit 數據的能力。

    在這種情況下，英特爾展示了每個溝槽存儲 4bit 的能力。當然，這種方法將增加帶寬和內存密度，同時減少延遲，產生更大、更快的片上緩存。

    638f61f8b15ec06021231068_10242704.jpg英特爾正在為打造 300 毫米硅基氮化鎵晶圓（GaN-on-silicon wafers）開辟一條可行的路徑，從而讓世界離超越 5G 和電源能效問題的解決更進一步。英特爾在這一領域所取得的突破，實現了比行業標準高 20 倍的增益，并在高性能供電指標上打破了行業記錄。

    638f61f8b15ec06021231069_10242704.jpg英特爾正在超高能效技術上取得突破，特別是在斷電情況下也能保留數據的晶體管。對于三個阻礙該技術在室溫下完全實現并投入使用的障礙，英特爾的研究人員已經解決其中兩個。

    638f61f8b15ec0602123106a_10242704.jpg英特爾繼續引入新的物理學概念，制造用于量子計算的性能更強的量子位：

    英特爾的研究人員加深了對各種界面缺陷（interface defects）的認識，這些缺陷可能會成為影響量子數據的環境干擾（environmental disturbances），從而找到了儲存量子信息的更好方法。

    Intel 18A 提前到 2024 下半年量產

    據英特爾最新對外公布的信息顯示，Intel 4nm 芯片已準備投產，它將用于包括 Meteor Lake（14 代酷睿流星湖）處理器、ASIC 網絡產品等。

    同時，Intel 3nm、20A（2nm，其中 A 代表埃米，1nm=10 埃米，下同）、18A ( 1.8nm ) 進展一切順利，甚至還略有提前。

    其中 Intel 3nm 將在明年下半年投產，用于 Granite Rapids 和 Sierra Forest 數據中心產品。

    638f61f8b15ec0602123106b_10242704.jpgIntel 20A 計劃 2024 上半年準備投產，首發 Arrow Lake（15 代酷睿）客戶端處理器，Intel 18A 提前到 2024 下半年就緒，分別用在下一代酷睿和數據中心產品上。      為萬億晶體管芯片鋪路 英特爾展示有 3 個原子厚的 2D 新材料！三番五冰天雪地次翩然歸來很多時候，當下那個我們以為邁不過去的檻，一段時間之后回過頭看其實早就輕松跳過；當下那個我們以為撐不過去的時刻，其實忍著熬著也就自然而然地過去了。所有沒能打敗你的東西，都將使你變得更加強大。3.先進的科學技術 advanced science and technology23.差以毫厘，謬以千里。    瑞鶴仙　陸壑月黑雁飛高，單于夜遁逃。英特爾,芯片,摩爾定律,intel,數據中心Even these days, when not all progress seems positive (nuclear weapons, air pollution, unemployment, etc.), the belief remains that for every problem there is a rational solution.
    隨便看

    　

    哈斯迪拉游戲下載網游戲攻略欄目提供軟件使用教程、手機游戲攻略等方法技巧。

    　

    Copyright © 2002-2024 hsdla.com All Rights Reserved
    更新時間：2025/7/21 19:53:38
    国产CHINESE在线男同|久久97久久97精品免视看秋霞|av无码久久久久久不卡网站|中文字字幕在线精品乱码